Samsung er begyndt at producere 20 nm DDR3-hukommelseschips
Samsung har taget et stort skridt fremad og har bestemt opnået en stor fordel i forhold til sine konkurrenter, da den var den første til at starte masseproduktion af MLC NAND flashchips med 20nm produktionsteknologi.
Det er velkendt, at hukommelsesmarkedet i øjeblikket gennemgår en mindre krise, da for meget markedskonkurrence og faldende kundeinteresse har resulteret i overproduktion, så lagre er akkumuleret, og producenterne er allerede tvunget til at sælge deres produkter med stadig lavere overskud.
Nu kan Samsung begynde at producere meget mere effektivt ved 20 nm, da det kan få adgang til op til 50% flere chips på overfladen af en siliciumskive, selvfølgelig vil nogle af de dårligere udbytter ved produktionsstart sandsynligvis endda mere end opveje de mere effektive produktion. På den anden side er forbruget af skær også stærkt påvirket af ændringen i teknologien, da forbruget kan være 40% mindre. Dette kan gøre det ekstremt attraktivt ud over de aktuelle markedstendenser, da hovedmarkedet har skiftet mod bærbare maskiner, hvor det lavest mulige forbrug er nødvendigt for at øge oppetiden, og med udviklingen af 20 nm teknologi kan mobiltelefoner endda dukke op. chips.
Samsung har outsourcet den nye teknologi til den nye fabrik, meddelelsen blev også holdt her, og produktionen vil også begynde her. En fabrik kaldet Line-16 ligger i Gyeonggi-provinsen, Sydkorea på en Samsung-ejet fabrik kaldet Nano City. Det enorme kompleks har et areal på 20 hektar og planlægges at producere 10000 stykker 300 mm wafer om måneden. Hermed åbnede den største sådan fabrik. Produktionen af de to gigabit -chips starter i første runde, men jeg vil gerne begynde at producere de 4 gigabit -minder inden årets udgang. Butikker findes i pakker på 4 GB, 8 GB, 16 GB og 32 GB. Og samtidig skal vi regne med nyere grønne DDR3-moduler, da disse gennemsnitlige DRAM'er også forbruger mindre end nuværende laveffektprodukter.
Kilde: techpowerup
