Samsung: Masseproduktion af 32 GB hukommelsesmoduler begynder

Producenten bruger chips fremstillet ved 30 nm til at oprette de nye RDIMM-moduler.

Samsung har også officielt meddelt, at det vil være den første i verden, der starter masseproduktion af 32 GB DDR3-hukommelsesmoduler. Til dette bruger de chips fremstillet med en 30 nm proces, der har en kapacitet på 4 Gbit, men vigtigere er det, at de kun har brug for en spænding på 1.866 volt for at opnå et effektivt ursignal på 1,35 MHz. Til sammenligning krævede chips fremstillet ved 40 nm 1,5 volt ved 1.333 MHz. Dette betyder, at de nye chips kræver 18% mindre energi, mens de accelererer markant. De nye moduler er af typen RDIMM, dvs. de er primært lavet til servere. Producenten stopper dog ikke her, da de allerede planlægger at producere 20 nm DDR3-chips, der er dateret i anden halvdel af året.