Toshiba kører til 19 nm i NAND Flash-industrien
Producenten ønsker at eje den mindste og mest avancerede flise i verden.
En uge siden rapporterede vi om det Intel og NAND Flash -chips fremstillet ved 20 nm i et joint venture med Micron kaldet IM Flash Technologies. Nu har Toshiba stolt annonceret, at de vil gå et skridt videre og bruge en 20 nm -proces i stedet for 19 nm. Som et resultat heraf er arealet af en sådan chip af typen MLC (Multi Level Cell) omfanget af den konkurrerende løsning, dvs. 118 mm2 og kapaciteten vil være 64 Gbit (8 GB) på samme måde. Virksomheden vil begynde at sende de første prøver i slutningen af denne måned, hvor masseproduktion skal starte i tredje kvartal. Dette tidsinterval ligner dem, der blev rapporteret af IMFT, da de talte om anden halvdel af 2011. Toshiba vil også have en teknologi kaldet "Toggle DDR2.0", som vil have en gavnlig effekt på hastigheden. SanDisk, partner for den nævnte producent, vil gerne slutte sig til gruppen af producenter, der tilbyder 19 kvm NAND Flash -chips senere på året. Den nye udvikling vil primært gavne tablets, SSD’er og smartphones. Den officielle meddelelse findes på kildesiden.
